3D NAND、10 奈米製程与 DRAM 将成晶圆厂设备支出成长主要动力

169浏览 分类:R生活图 2020-06-05

3D NAND、10 奈米製程与 DRAM 将成晶圆厂设备支出成长主要动力

SEMI(国际半导体产业协会)公布最新「SEMI 全球晶圆厂预测」(SEMI World Fab Forecast)报告,2016 年包括新设备、二手或专属(in-house)设备在内的前段晶圆厂设备支出预期将增加 3.7%,达 372 亿美元,而 2017 年则将再成长 13%,达 421 亿美元。另方面,2015 年晶圆厂设备支出为 359 亿美元,较前一年微幅减少 0.4%。

SEMI 全球晶圆厂预测,不仅详列整个产业的晶圆厂相关支出,範围还扩及 2017 年底前之市场展望。2016 年上半年晶圆厂设备支出可望缓慢提升,下半年则将开始加速,为 2017 年储备动能。2017 年相关支出可望回复两位数成长率。

3D NAND、10 奈米製程与 DRAM 将成晶圆厂设备支出成长主要动力 2011 年至 2017 年晶圆厂设备支出。

对成长贡献最大之类别包括晶圆代工、3D NAND 晶圆厂,以及準备在 2017 年拉升 10 奈米製程产能的业者。专业晶圆代工厂仍然是最大支出来源。而 2015 年支出从 107 亿美元略为下滑至 98 亿美元(较前一年减少 8%),惟 2016 年可望增加 5%,2017 年成长率更将接近 10%。

DRAM 支出紧追在晶圆代工之后,排行第二。2015 年 DRAM 支出表现强劲,但 2016 年可望趋缓,下滑 23%,到 2017 年将恢复上扬趋势,成长率上看 10%。

就支出成长率来看,最大成长动力来自 3D NAND(包括 3D XPoint)。2014 年支出为 18 亿美元,到 2015 年倍增至 36 亿美元,成长幅度高达 101%。2016 年支出将再增加 50%,上扬 56 亿美元以上。

设备支出增加因受 6 家业者带动之下,其支出的排名皆于全球前十名之列。这 6 家公司均宣布计划于 2016 年增加资本支出,但预料最大支出企业三星的资本支出将会低于 2015 年。

带动 2017 年设备支出成长的,还有 24 处在 2015 年或今年开始动工的厂房(不含研发设施)。这些厂房位于全球各地,由中国囊括其中 8 座。

近来半导体业在购併方面屡屡缔造新纪绿,2016 年可望有更多交易案浮上檯面。2015 年半导体设备支出整体成长持平,2016 年亦将维持缓慢成长,证明市场已趋于成熟。新的技术、製程与新型记忆体元件,将在 2017 年带动支出成长。

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